PROUCTS LIST
菊水產(chǎn)品在半導體行業(yè)的應用
半導體在各行業(yè)上的應用
| UPS | 通信伺服器 | 新能源汽車 | 光伏發(fā)電 | 高鐵等 | |
| 主要使用半導體 | FET、二極管 | FET、IGBT、二極管 | FET、IGBT、二極管 | FET、IGBT、二極管 | IGBT、二極管 |
| Max電流 | 2~100A | 0.5~10A | 50~200A | 75A | ＞200V |
| 額定電壓 | 600~1000V | 600V | 650~2000V | 600~1200V | ＞5kV |
半導體行業(yè)應用案例
1. 功率半導體
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）
電壓規(guī)格：600V/1000~3000V
MOSFET（Metal-Oxide Silicon Field-Effect Transmitter）
電壓規(guī)格：12~300V
高功率大功率開關電源PAT-T系列1000V、1500V機型可對應功率半導體的高電壓大電流化。隨著太陽光面板的高電壓化以及電動汽車的普及，充電器馬達以及各種逆變器所使用的半導體也漸漸向高電壓、大電流化發(fā)展。
使用目的
· 產(chǎn)業(yè)機器
· 空調逆變器
· 光伏發(fā)電逆變器
· 電動汽車（EV）逆變器 etc...
測試內容
· 信賴性評估
· 產(chǎn)品檢查、良否判定
· C-V測試
· I-V測試
· 高壓破壞、放電測試
· 半導體接點溫度特性評估
· Electromigration
IGBT的Tf（fall time）測試案例
Vce=600V、Ic=30A
Tf為Ic=27A（90%）~3A（10%）的時間
采用直流電源PWX與高速雙極電源PBZ進行測試。
Power MOSFET測試案例
Power MOSFET的使用電流至幾百A，自身的發(fā)熱是十分重要的參數(shù)。施加100us的脈沖對發(fā)熱的影響進行測試。測試系統(tǒng)上采用直流電源PWX與高速雙極電源PBZ。
PID測試
薄型寬量程可變開關型電源PWX系列可進行高速通信（LAN），從而可以實現(xiàn)功率半導體評估測試中的PID測試。
重點：對半導體進行老化測試。測定車載半導體的溫度，并用時序創(chuàng)作軟件重現(xiàn)其溫度特性進行老化測試。通過控制半導體的電流來實現(xiàn)實車半導體的溫度變化，要求直流電源可以進行外部的高速控制。由此菊水的直流電源PWX系列可滿足此要求。
半導體接點溫度特性評估
重點：由于溫度上升速度快，需要高速的外部控制（如LAN接口）。
過渡熱測試
重點：半導體的過渡熱測試是通過大電流高速上升測試半導體內部的溫度變化。使幾百A~千幾百A的電流在幾ms內上升。如果使用PAT-T系列單體，在幾ms之內可到達。如果使用與PLZ-5W系列并用，上升速度將更快。
2. IC
GaAsIC：Galium Arsenide Integrated Circuit
MMIC：Monolithic Microwave Integrated Circuit
LSI：Large Scale Integration
使用目的
· 手機
· 通信機器半導體元器件
· 無線LAN
· PC
· GPS etc
測試內容
· 電流脈沖
· 電源過電壓法
· 電壓脈沖
· ESD脈沖（Electro-Static Discharge）
電源過電壓法
重點：
· DC電源需要低紋波、線性電源較多被采用
· 電子負載裝置需要滿足高速響應
電壓脈沖法
重點：PBZ由于低紋波并且可以輸出高速、高頻率波形，因此被廣泛采用。
薄型寬量程可變開關型電源
PWX系列
· 采用高度為1U的薄型、輕量設計，提高了機柜裝配效率
· 輸出范圍大，能夠組合電壓/電流設定的功率型產(chǎn)品（3倍）
· 配備功率因數(shù)改善電路：0.99（100V輸入時）、0.97（200V輸入時）
*TYP值
· 標準配備LAN、USB、RS232C通訊接口
· 單控并聯(lián)運行功能（相同機型Max4臺）
· 簡單串聯(lián)運行（相同機型2臺）
*PWX750HF、PWX1500H除外
本文來源于KIKUSUI菊水
產(chǎn)品詳情FPWX系列機架安裝直流電源
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